演讲人： 王天放 中国科学院半导体研究所
时间： 2024-02-23 09:30-2024-02-23 10:30
地点：RM S327, MMW Building (腾讯会议：426-880-081)
内容：

GaSb基半导体激光器凭借材料体系独特的窄带隙和天然的晶格匹配的优势，是2–4 μm中红外波段激光技术研究的前沿热点。锑化物半导体激光器体积小、效率高、电驱动直接发光，在环境工业气体检测、生物医疗、自由空间通信和光电对抗等领域具有重要应用前景，并可作为中红外固体和光纤激光器的理想种子光源。进入21世纪，伴随分子束外延技术的飞速发展，锑化物半导体激光器已经实现输出功率瓦级以上的室温连续工作。当前，锑化物半导体激光器的研究正向提升单色性、相干性以及高亮度方向发展，以满足高分辨率光谱学检测和高效率泵浦应用的需求。本报告重点介绍锑化物单模外腔激光器的关键制备技术与测试研究，包括锑化物激光和超辐射增益芯片的研制，以及抑制内腔谐振和实现外腔耦合的相关设计，并结合定制的闪耀光栅外腔和光线光栅外腔进行纵模调控，实现单模功率、光谱纯度、线宽和调谐范围等激光性能指标的突破，为锑化物单模激光器的量产和应用奠定坚实的技术基础。

个人简介:

王天放，中国科学院半导体研究所，博士。本科毕业于北京科技大学数理学院黄昆班，硕博连读于中国科学院半导体研究所。主要从事GaSb基单模激光器研制工作，重点研究外腔激光器方案。参与课题组国家自然科学基金重大项目，研究期间以第一作者完成5篇SCI论文。